АртТехМонтаж


Общество с ограниченной ответственностью


г. Ярославль, ул. Университетская, 21
тел. +7 4852 35-99-77, 75−99−05
факс +7 4852 75-99-05

e-mail: artech2000@list.ru
artech2000@yandex.ru


Печатные платы Производство Продукция > Главная Карта



Основой технической политики предприятия ООО «Арттехмонтаж» является интегрированный подход по всем элементам бизнес-процесса создания электронного оборудования. Единая технологическая цепочка, включающая в себя логистику, производство и техническую поддержку, ориентирована на выпуск малых и средних партий продукции.
Интересно

Современные технологии 3D-интеграции, (Компоненты и технологии №1'2010) Современный рынок интегральных микросхем предъявляет к конструкции ИС все более жесткие условия. Теперь они должны быть не только высокопроизводительными и иметь минимальные габаритные размеры, но и обеспечивать при этом максимально возможную функциональность. Повсеместная миниатюризация электронных приборов не оставляет выбора разработчикам современных технологий производства ИС. На сегодняшний день для обеспечения более высокого уровня функциональности при минимальных размерах и максимальном быстродействии остается единственный путь развития конструкции ИС — 3D-интеграция.

метод попарного прессования; метод послойного наращивания; метод сквозных отверстий; комбинированный метод. Общим для всех этих методов является прессование заготовок (ядер) в единую монолитную конструкцию с помощью прокладочной стеклоткани. Заготовки для прессования (ядра) представляют собой тонкие двусторонние платы, на которых уже выполнен рисунок внутренних слоев. Для способов послойного наращивания и металлизации сквозных отверстий ядра изготавливаются химическим субтрактивным методом. При этом отсутствует операция сверления, а в качестве защитного покрытия при травлении применяются высококачественные фоторезисты, которые обеспечивают высокое разрешение проводящего рисунка и высокое качество изготовления. При создании ядер методом попарного прессования применяется комбинированный позитивный метод формирования проводящего рисунка. Этим же методом формируется топология внешних слоев МПП.

 Рейтинг@Mail.ru